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650V Super Junction N-Channel MOSFET
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 新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.采用揚(yáng)杰科技特殊多層外延工藝制程設(shè)計(jì)的650V系列超結(jié)產(chǎn)品，可以滿足低導(dǎo)通損耗、低開(kāi) 關(guān)損耗、EMI兼容性以及不同電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用要求，產(chǎn)品具有良好的導(dǎo)通內(nèi)阻（Rdson)和柵 極電荷（Qg)性能，降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，更低的開(kāi)關(guān)噪聲、更低的Trr，綜合提升系統(tǒng)穩(wěn) 定性及性能。
2.開(kāi)關(guān)速度與EMI平衡、更低的Trr特點(diǎn)，適用于充電器，電源適配器，TV電源、工業(yè)電源等領(lǐng) 域，亦可滿足一些半橋或各種橋式電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用要求。
產(chǎn)品特點(diǎn) 1.采用揚(yáng)杰科技特殊多層外延工藝制程設(shè)計(jì)，具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性，開(kāi)關(guān)速度與EMI 平衡、更低的Trr特點(diǎn)；
2.系列產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗低的特點(diǎn)；
3.采用TO-252/ITO-220AB封裝，具有更好的熱值特性。
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