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分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號(hào)開關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
整流二極管
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靜電保護(hù)二極管
MOSFET
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小信號(hào)數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車電子
IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
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快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管

汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號(hào)

小信號(hào)開關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號(hào)
小信號(hào)開關(guān)二極管小信號(hào)肖特基二極管小信號(hào)穩(wěn)壓管小信號(hào)三極管功率三極管小信號(hào)數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
汽車SiC肖特基二極管
汽車SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

120V SGT工藝N-Channel MOSFET

120V SGT工藝N-Channel MOSFET 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.采用揚(yáng)杰科技SGT特殊工藝制程，根據(jù)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用要求，優(yōu)化導(dǎo)通內(nèi)阻（Rdson)和柵極電荷（Qg)性能，降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率；
2.解決高速Gan電源應(yīng)用時(shí)di/dt大帶來的副邊電壓尖峰高的問題，提升產(chǎn)品整體的可靠性。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1.采用揚(yáng)杰科技SGT特殊工藝制程設(shè)計(jì)，具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性；
2.系列產(chǎn)品具有更快的開關(guān)速度，更小的柵電荷和更高的應(yīng)用效率；
3.采用PDFN5060封裝，更好的熱阻特性。

規(guī)格書

YJG88G12A

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